词汇表术语：

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存取时间：
存储设备的时间间隔特性，用来衡量与该设备通信所需的时间。对于硬盘驱动器，存取时间由起转时间、寻道时间、旋转延迟和传输时间的总和来确定。

ABL (All Bit Line)：
ABL (All Bit Line) 存储器由 SanDisk 在 ISSCC 2008 上推出，是一种比"传统"存储器快很多的存储器。传统存储器对于实际操作使用沿着选定字行 (WL) 的每个间隔单元，此设计则同时执行它们。相对于传统芯片，此 All Bit Line (ABL) 结构至少将性能提升 100%。其它技术也会帮助将性能推升到更高水平。

AFM
SanDisk 的自适应闪存管理技术有利于增加 NAND 容量。 AFM 包括如 ExtremeFFS™ 基于页面的闪存管理技术，All Bit Line (ABL) 架构和耐用性标准等技术。

埃 (Å)：
等于一亿分之一厘米的线性度量单位。人类头发的直径大约有 750,000 Å。

阵列：
在平版印刷术中用来表示模片上的重复模式，如存储单元阵列。

ATA 8 标准：
ATA-8 标准旨在支持数据集管理命令。此命令是实现 TRIM 功能的关键技术。

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坏块：
生产时存在缺陷或一段时间过后变得不可用的块。

坏块管理：
用来标记并隔离坏块使它们不再被使用的方法。坏块管理将打算送到坏块的数据存储到闲置块中。

比特：
一个基本的信息单位。

块：
对消息的物理划分，由具有用于消息传输的命义大小（块长）的字节或比特序列组成。在将数据存储到 9 轨磁带、旋转式媒体（如软盘、硬盘、光盘）以及 NAND 闪存时，几乎全都采用在块中划分数据并确定数据地址的方法。在 NAND 闪存中，块定义最小的擦除单位。在硬盘驱动器中，块是轨道与扇区间的交叉部分。它的地址通过提供柱面、头和扇区 (CHS) 的编号来指定。

硼：
原子序数为 5 的化学元素，可用于硅的 p 通道掺杂。

字节：
由 8 比特组成的数据单位。

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通道：
用于 MOSFET 中的 n 型或 p 型半导体材料之间电流的导管。

电荷捕获存储晶体管：
在浮栅中存储电荷（电子）。

电路：
实现特定功能的电子元部件的组合。

无尘室：
在定义了等级的制造过程中使用的封闭区域，通常限制污染水平，而且控制空气中的湿度、温度和微粒。

CMOS（互补金属氧化物半导）：

在相同硅衬底中合并 p 通道和 n 通道 MOS 晶体管的加工流程。

晶体：
一种由原子、离子或分子作重复和三维排列而形成的均质固体，在组成部分之间有固定的距离，以外部的晶面为特征。

柱面：
无需移动存取头在硬盘驱动器上可访问的所有磁轨。

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数据可靠性
系统或组件在指定时段内于规定条件下执行所需功能的能力。通过执行特殊测试（鉴定）可以预测在产品生命周期内的性能。

数据保持：
可以从非易失性存储器中可靠检索所写入数据的最长期限。

缺陷：
晶体中存在的化学或结构上的不规则性，可能影响理想的晶体结构或晶片上构建的膜层。

模片：
具有定义功能的集成电路的组合，在一个硅晶片上可能印刷数百个模片。裸晶片未封装。

电介质：
用于描述非金属及其与电场、磁场或电磁场之间交互作用（包括电能和磁能的存储和耗散）的绝缘体。电子学、固态和光物理学中的许多现象都可以使用基础的电介质假设来解释。

扰乱错误：
在读或写操作中颠倒某一位的值。

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EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）：
这是非易失性存储器的早期版本。

包装：
将模片与电路包装起来以实现机械和环境防护的过程。

耐用性：
闪存在不危及数据可靠性的前提下可以执行写/擦的次数。

EPROM（可擦写可编程只读存储器）：
这是非易失性存储器的早期版本。

错误检测/纠正代码 (EDC/ECC)
检测错误，并利用附加位重构原始数据来更正错误，延长数据保持。

蚀刻：
在制造过程中用化学方法从晶片表面去层的微加工技术。蚀刻是极为重要的工艺流程，在许多步骤中可以在晶片上重复执行，目的是尽量减少缺陷数量。可以利用抗蚀刻的掩膜保护部分晶片以免接触到蚀刻剂。在某些情况下，掩膜属于光致抗蚀剂，适用于照相平版印刷术中的图案化。在其它情况下，会使用氮化硅，这是一种更强的材料。

ExtremeFFS™^*（Extreme 闪存文件系统）
ExtremeFFS™^* 技术有加速随机写性能的潜力，因此延长了 SanDisk SSD 在使用如 Windows XP 和 Windows 7 等操作系统的 PC 中的耐用性。ExtremeFFS 基于如下设计元素采用一种新颖的方法实现闪存管理：

• 基于页面的算法：ExtremeFFS 采用基于页面的算法，在物理位置和逻辑位置之间没有固定的耦合关系。这样，SanDisk® SSD 就可以自由地将一部分写入数据存储到最方便、最有效率的位置。
• 完全无阻断结构：NAND 通道可根据用户活动需要独立运行，让某些通道进行读，其它通道进行写以及垃圾收集。

增强型标准
SanDisk 开发了首个行业标准（以前称为 LDE），用简单、准确且相关的数字表示在 SSD 的生命周期内可以向 SSD 写入多少数据。 标准规格是由 SanDisk 开发并作为基准提交给 JEDEC，使用户可比较各来自各家厂商的 SSD 的数据耐用性。 根据一般终端用户的活动，标准提供了在 SSD 使用寿命内以兆字节单位 (TBW) 写入数据的总量。 数据采用一般 PC 的写入传输容量，在整个 SSD 生命周期内按固定速率写入，并在 TBW 耗尽之后至少保留一年时间。 根据 SanDisk 的内部调查，一般客户端 PC 用户每天写入的数据为 4GB。

^*ExtremeFFS 为 SanDisk 基于页面的闪存管理算法，针对流行的操作系统进行了优化，具有大大增加 SSD 随机写入速度和效率的潜力，因此提升了 PC 中 SSD 的性能并延长了耐用性。

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厂房（加工厂）：
半导体晶片生产厂。

闪存：
由 1-晶体管存储结构单元组成的非易失性半导体存储器。该存储机制包括在栅电介质中存储电荷。晶体管上的第二个栅支持数据存储，以及同时以电子方式擦除定义的存储块。

浮栅：
将电荷存储较长的一段时间，即使未连接到电源也如此。在浮栅中存储的电子通过阈值电压感知。

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栅：
调整金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管中电流的电极。

栅氧：
一层薄的纯净、无缺陷的热生长氧化物。它充当 MOSFET 中介于汲极与源极之间的电介质层。

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存取头（也称为存取臂）：
将数据写入到硬盘驱动器的大浅盘表面或从中读取数据。每个头为大浅盘的一面服务。

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硅锭：
半导体行业中用硅制成的材料，加工后可以获取单晶体硅。然后，经过切片、磨光后可获得晶片，在晶片上就可以加工从微处理器到存储设备等各种设备。

每秒输入/输出 (IOPS)：
每秒执行的操作（例如读或写）数量的测量。固态驱动器在存取随机文件时可以实现比硬盘驱动器更高的 IOPS。

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JEDEC（电子元件工业联合会）
固态行业标准的领先开发者，在 50 家 JEDEC 委员会工作的 3000 多名参与者都来自 295 家公司的指派。

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延迟：
在执行指定操作之前的延时。

级：
定义位的模拟值的逻辑方法。1 位需要 2 级。

平版印刷术：
用来设计集成电路和微机电系统的微加工技术。此术语来源于印刷领域（文字或艺术品），平版印刷术是指使用油脂及阿拉伯胶将光滑的表面划分成接受墨水的区域，以及拒绝墨水且因此成为背景的亲水区域。

逻辑块地址 (LBA)：
为块线性编号而不按柱面、头和扇区号 (CHS) 编号的地址方案。LBA 通常会替代旧的块地址方案，虽然两种方案在当前固态驱动器和硬盘驱动器上都支持。

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掩膜：
一个玻璃板或石英板，其中包含用来定义一个处理层的晶片图案的照相影像。掩膜会曝光到感光层上，然后盖到晶片表面，向各种加工流程显示/隐藏选定的区域。

平均故障间隔时间 (MTBF)
出现故障之前持续的平均时间。

平均故障出现时间 (MTTF)
出现第一次故障之前持续的时间。用于首次故障通常致命的系统中。

存储单元：
位行与字行的交点确定存储数据的位置。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：
用于放大或交换电信号的设备。这是迄今为止在数字电路和模拟电路中最常见的场效应晶体管。MOSFET 由 n 型或 p 型半导体材料的通道组成。

微米：
等于 1 米的一百万分之一或 10,000 埃的线性度量单位。

摩尔定律：
此定律基于 1965 年所做的预测，即晶体管密度每 1½ 到 2 年都会翻一番。这实现了集成电路的小型化。

多层单元 (MLC)：
在一个单元中存储多位，例如 D2、D3、x4。

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NAND 闪存：
可实现顺序存取存储单元的非易失性存储器，与 NOR 闪存相比，它使用硅的效率更高，因而降低了每 GB 的成本，能够实现比 NOR 闪存更快的写速度，适用于海量数据存储。

nCache™ Acceleration Technology1
3 nCache™ 加速技术是一种大量非易失性写入缓存，是 SanDisk SSDs 的独特功能，可提高随机写入性能并保证提高用户体验。 研究显示，现代操作系统通常使用 4k 的存取块访问存储设备。 执行小型写入命令时，缓存存满，主机未访问驱动器的空闲时间缓存清空，不存在数据丢失的危险。 一般日常使用中，用户看到的 NCACHE™ 写入性能是 nCache™ （突发）高性能，而不是稳定的 SanDisk U100/i100 SSD （持续）性能。 基于 IOmeter 4K 的随机写入测试

非易失性存储器 (NVM)：
在断电时也可以保留数据的存储器类型。

NOR 闪存：
支持直接存取每个存储单元的非易失性存储器，对硅的使用不如 NAND 闪存高效，因此每 GB 成本更高，可以实现较快的随机存取速度，但写速度比 NAND 闪存慢，适用于代码存储。

N 型：
由于电子过多而导致带负电荷的半导体材料。

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一次性可编程 (OTP)
只能写入一次、不能擦除、没有读取限制的存储器。

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页：
NAND 闪存中的最小写单位。

大浅盘：
硬盘驱动器中使用的旋转磁盘。存取头会将数据写入到大浅盘表面底部的顶端。

功率级别
功率预算在移动计算应用最为重要。 SanDisk I100 驱动器支持功率级别具备限制 SSD 性能的能力，并反过来可限制功率消耗。 提供优化功率和性能之间灵活性的能力，并使 OEM 即使在不要求最大性能的前提下，能够充分利用诸多 SSD 优势。

印刷电路板 (PCB)
由某些特定的电介质、低成本绝缘材料组成可在机械上支撑、在电子上连接电子元件的电路板。PCB 采用导电通路或线路，是从碾压到非导电衬底上的薄铜板蚀刻所得的。

P 型：
因为缺少电子而导致带正电的半导体材料，通常通过硼掺杂来实现。

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随机存取：
在相同时间内可以不按特殊顺序存取序列中所有元素的能力。

随机存取存储器 (RAM)
可以按任意顺序在任意位置读/写的易失性存储器。

可靠性：
产品在指定的时间按定义的条件执行预期功能的可能性。

每分钟转数 (RPM)：
基于磁盘每分钟执行的转数来衡量硬盘驱动器的速度。

 

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SATA uSSD™
嵌入式固态驱动器的 SATA - IO 标准 (SSD)。 SATAμSSD™ 规格消除了与传统的 SATA 接口之间的模块连接器，使开发人员能设计出适用于 嵌入式存储应用的单芯片 SATA 产品。 该标准通过 SanDisk® iSSD™ 积累存储设备实施。

扇区：
硬盘驱动器大浅盘上的扇形区，包含可以在其中读/写数据的最小可寻址区域。

寻道时间：
头到达硬盘驱动器上的目标轨道所需的时间。

半导体：
导电特性介于导体和绝缘体之间的固体材料。

硅：

元素周期表中用于制造半导体的元素。

单层单元 (SLC)：
一个单元中存储一位。

单一化：
将晶片切成各个模片的过程。

起转时间：
硬盘驱动器加速到工作速度所需的时间。

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阈值电压：
感知浮栅中的电子，充当实现电流的栅电压。

轨道：
硬盘驱动器大浅盘表面上的细同心圆，用来帮助识别数据位置。

晶体管：
用作放大器或电控开关的半导体，是计算机、手机以及其它现代电子设备中的基本电路构件。晶体管由包含至少三个用于连接到外部电路的端子的半导体制成。应用到两个端子的电压或电流将改变流经另一对端子的电流。由于受控电源可能远大于控制电源，因此晶体管可以放大信号。

捕获的电荷：
在栅氧中捕获的电荷，这也是非易失性存储器实现过程的一个组成部分。

TRIM：
TRIM 会将未使用的介质空间告诉 SSD，使它能够不断管理资源，能够在整个生命周期中保持优化的性能，从而有助于大幅提高产品性能。

隧穿：
电子穿过绝缘层或两个导体之间间隙的物理现象。隧穿是 NAND 闪存写操作和擦除操作的基础。

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易失性存储器：
断电时丢失数据的存储器类型。

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晶片：
从半导体晶体（如硅）切割的具有平行面的薄片。使用硅锭准备硅晶片。

损耗平衡：
一种防止特定块磨损的技术，它通过在整个闪存介质上均匀分配重复写/擦循环中的数据，来延长闪存的生命周期。损耗平衡对于一般的文件系统（例如 DOS FAT 文件系统）以及重复写/擦相同物理位置的文件管理算法特别相关。

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产出率：
一个晶片上的优质模片数在 模片总数中所占的百分比。